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產(chǎn)品分類(lèi)
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產(chǎn)品介紹
IOD-FMB-18001模塊是應用超低噪聲平方律檢測的理想選擇。獲得的電壓靈敏度在300GHz時(shí)高達2MV/W，在1THz時(shí)高達0.2MV/W。
噪聲等效功率（NEP）估計在300GHz時(shí)低至5.0pW/Hz0.5，在1THz時(shí)低至45pW/Hz 0.5。
Femi-level managed barrier（FMB）二極管模塊是一種基于InP/InGaAs異質(zhì)結構的超低噪聲太赫茲探測器。代替肖特基勢壘二極管（SBD）中的金屬/半導體界面，在FMB二極管中使用InGaAs/InP異質(zhì)界面（勢壘高度～100meV）。
此低勢壘高度提供低二極管差分電阻（Rd）以及二極管與寬帶蝴蝶結天線(xiàn)之間的良好阻抗匹配。
性能特點(diǎn)
異質(zhì)勢壘結構由n-InGaAs、未摻雜的InP和n-InP層組成。由于高摻雜n-InGaAs中的費米能級可以遠高于導帶邊緣，這取決于載流子密度，異質(zhì)界面處的勢壘高度（ΦBn）可以降低到100meV或更小。由于低勢壘高度，FMB二極管產(chǎn)生約5.0pW/Hz0.5的良好NEP。
技術(shù)參數
- 型號：IOD-FMB-18001
- 模塊配置：帶運算放大器的零偏置FMB二極管
- 天線(xiàn)類(lèi)型：自帶蝴蝶結天線(xiàn)
- 透鏡類(lèi)型和直徑：超半球形（直徑10mm）
- 太赫茲帶寬：>200GHz
- 前置放大器類(lèi)型：低噪聲運算放大器
- 前置放大器帶寬：20Hz-15kHz
- 輸出連接器：SMA（內螺紋）
- 電源：DC±5V
- 產(chǎn)地：日本
噪聲等效功率（NEP）：
- 5pW/sqrt（Hz）@300GHz
- 1000GHz時(shí)為45pW/sqrt（Hz）
電壓靈敏度：
- 2MV/W@300GHz
- 0.2MV/W@1000GHz
產(chǎn)品尺寸
產(chǎn)品參數
津公網(wǎng)安備12010102000950號