每個(gè)檢測器具有100mm2的有源面積和用于在12nm和18nm之間進(jìn)行檢測的直接沉積的薄膜濾波器。兩種探測器在13.5nm處都具有0.09A/W的典型響應度,并且針對不同的電性能進(jìn)行了優(yōu)化。光電二極管非常適合用于激光功率監測、半導體光刻和利用極紫外光的計量系統等應用。SXUV100TF135針對更高速的反向偏置電壓操作進(jìn)行了優(yōu)化。該器件具有低電容,通常為260pF,反向偏置電壓為12伏。
產(chǎn)地:法國
擊穿電壓:25 V
配置:?jiǎn)蝹€(gè)
模塊:否
包裝:陶瓷
包裝類(lèi)型:陶瓷
光電探測器類(lèi)型:PN
操作模式:光電導
波長(cháng)范圍:18至80 nm
響應時(shí)間:20 ns
反向電壓:25 V
光譜帶:紫外線(xiàn)
電容:220至350 pF
暗電流:8至25 nA
響應性/感光度:0.08至0.1 A/W@13.5 nm
有效面積:100 mm2(10 mm x 10 mm)
工作溫度:-10至40℃
儲存溫度:-10至40℃
激光功率監測
半導體光刻
計量系統
專(zhuān)注領(lǐng)域研究 產(chǎn)品供應
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