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scia Systems離子束蝕刻系統(tǒng)scia Mill 150

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  • 品牌名稱：scia Systems
  • 規(guī)格型號：scia Mill 150
產(chǎn)品介紹

scia Mill 150 專為構(gòu)造各種材料的復(fù)雜多層而設(shè)計。憑借其完全反應(yīng)氣體兼容性，該系統(tǒng)還能夠以增強的選擇性和速率進行反應(yīng)蝕刻工藝。由于其節(jié)省空間的設(shè)計，scia Mill 150 非常適合小規(guī)模生產(chǎn)和研發(fā)應(yīng)用。

性能特點
  • 蝕刻角度可通過可傾斜和可旋轉(zhuǎn)的基板支架進行調(diào)整
  • 無需整形器即可實現(xiàn)好的均勻性
  • 使用反應(yīng)氣體增強選擇性和速率
  • 使用準(zhǔn)確的 SIMS 或光學(xué)終點檢測進行過程控制
  • 載體概念可適應(yīng)各種基板尺寸
  • 由于良好的晶圓冷卻，可使用光刻膠掩模處理晶圓
技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)地：德國

基片尺寸（max）：直徑150 mm。

基片支架：水冷，氦氣背面冷卻接觸，基片旋轉(zhuǎn)1至20 rpm，可原位傾斜0°至165°，步長0.1°

離子束源：190 mm圓形微波ECR源（MW218-e）

中和器：三重等離子橋中和器（N-3DC）

射頻等離子橋中和器（RF-PBN）

基準(zhǔn)壓力：< 5 x 10-7 mbar

系統(tǒng)尺寸（寬x深x高）：1.90 m x 1.80 m x 1.75 m（不含電氣架）

配置：單腔，可選單基片負(fù)載鎖，可選OES或SIMS終點檢測

軟件接口：SECS II / GEM，OPC

典型去除率：SiO2：30 nm/min

均勻性變化：≤3 %（σ/平均值）

產(chǎn)品應(yīng)用

磁存儲器 (MRAM) 和傳感器 (GMR、TMR) 的結(jié)構(gòu)化

MEMS 生產(chǎn)中的金屬銑削 (Au、Ru、Ta 等)

不同金屬和介電材料多層的銑削

化合物半導(dǎo)體 (GaAs、GaN、InP 等) 的化學(xué)輔助離子束蝕刻 (CAIBE)

三維光電微結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)

用于降低微觀粗糙度的離子束平滑

用于光柵 (SiO2) 圖案轉(zhuǎn)移的反應(yīng)離子束蝕刻 (RIBE)

產(chǎn)品參數(shù)

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